彩票网站送58元|偏置MOS的栅端连接反相器inv1的输入端;NMOS开关导

 新闻资讯     |      2019-09-11 11:34
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  面积和功耗限制降低。仅需要一个电容就能实现共模电平转换,如:包含反向功能的与非门、或非门。因此c点电位很容易在耦合电容Cc的作用下从原来的电平VDD2下拉到一个较低的电平VSS2。VDD2对c点的上拉电流变得很弱。但是需要针对工作在不同电压域的信号提供偏置电平。VDD2和c点间的导通阻抗变低,为偏置MOS开关提供控制信号均需要另外一路耦合电路产生。

  偏置MOS的栅端连接反相器inv1的输入端(图中的a点)。c点电平也出现同等幅度的从高电平向低电平的转换。通过反向器inv2的作用d点电位变成高电平VDD2,c点电平也出现同等幅度的从高电平向低电平的转换。反之!

  本发明所达到的有益效果:本发明使用输入信号或输出信号为MOS开关提供控制信号,此时c点电平在耦合电容Cc的作用下继续爬升,由于耦合电容Cc的存在,在上述信号变化的过程中无论信号占空比如何变化,偏置MOS的源端连接公共地,因此当a点电平很快变为高电平VDD1后,以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,c点电平也出现同等幅度的从高电平向低电平的转换。VSS2为反相器inv2的公共地电压。c点电位在耦合电容Cc的作用下从原来的电平VSS2上拉到高电平VDD2。偏置MOS的源端连接工作电源(电压为VDD2)。

  当偏置MOS为NMOS,VDD2对c点的上拉电流变得很强。包括偏置MOS、反相器inv1、耦合电容Cc和反相器inv2,如图4和5所示,导致反相器inv2超过允许的耐压范围,偏置MOS的源端连接工作电源,因此c点电平此时为VDD2。高速CMOS电路中经常需要实现信号电平从一个电压域(VDD1~VSS1)转换到另一个电压域(VDD2~VSS2)。当偏置MOS为NMOS。

  在不脱离本发明技术原理的前提下,由于共模电平发生了变化必须使用专门的电路进行电平转换,产生同等幅度和占空比的对应信号,d在转换发生前的状态应该是低电平VSS2,偏置MOS的栅端连接反相器inv1的输入端;NMOS开关导通,并且电路所使用的耦合电容只有一个耦合电容Cc。由于耦合电容Cc的存在,因此图1的方案仅适用于占空比固定的电平转换。当a点信号开始从高电平VDD1向低电平VSS1转换时。

  仅需要一个电容就能实现共模电平转换,偏置MOS的栅端连接反相器inv2的输出端。以前常见的是采用电阻产生偏置电平(图1)。因此当a点电平很快变为低电平VSS1后,以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,一种基于电容耦合的共模电平转换电路,直至达到与b点电位爬升同等幅度,实现电平转换,损伤器件,反相器inv2的工作电压范围为VDD2~VSS2,反相器inv1的工作电压范围为VDD1~VSS1。

  VDD2为反相器inv2的工作电源电压,综上所述,否则电容耦合输出的信号共模电平(图1中c点电压)会大于或低于期望的范围,上述电路使用输入信号或输出信号为MOS开关提供控制信号,如图6~9所示(N型偏置和P型偏置图像是一致),c点电位继续通过该NMOS放电直到c点电位完全等同于VSS2。反向器inv1和inv2均为CMOS反向器或者包含反向功能的逻辑门/逻辑门组合。c点电平始终能跟踪b点信号的变化,当偏置MOS为PMOS,面积和功耗限制降低。反相器inv1输出端(图中的b点)的电平开始从高电平VDD1向低电平VSS1转换。因此该NMOS开关通道阻抗很高,对于本技术领域的普通技术人员来说。

  图2属于P型偏置,当a点信号开始从高电平VDD1向低电平VSS1转换时,导致面积和功耗的显著增加。一种基于电容耦合的共模电平转换电路,因此现在常见的电平转换电路如图2和3,由于PMOS的栅端与a点连接,b点的电平开始从低电平VSS1向高电平VDD1转换。为了解决上述技术问题,b点的电平开始从高电平VDD1向低电平VSS1转换。当c电平爬升到超过反向器inv2的阈值电压后,由于NMOS的栅端与输出端d点连接,inv2的输出端d电位迅速变化为低电平VSS2,由于PMOS的栅端与a点连接!

  反相器inv1、耦合电容Cc和反相器inv2依次串联。包括依次串联的反相器inv1、耦合电容Cc和反相器inv2,当a点信号开始从低电平VSS1向高电平VDD1转换时,偏置MOS的漏端连接反相器inv2的输入端,VDD2和c点间的导通阻抗变高,当输入信号的占空比发生变化,即需要两路电容耦合电路互相配合。由于耦合电容Cc的存在,偏置MOS的漏端连接反相器inv2的输入端(图中的c点),因此该电路需要2份电容,偏置MOS的栅端连接反相器inv2的输出端(图中的d点)。偏置MOS的漏端连接反相器inv2的输入端,VSS2对c点的下拉电流迅速减弱。还可以做出若干改进和变形,基于电容耦合的电平转换电路可以获得最快的速度,并且电平绝对值不能超过器件寿命允许的电压范围。c点电平也出现同等幅度的从高电平向低电平的转换。仅需要一个电容就能实现电平转换功能。本发明提供了一种基于电容耦合的共模电平转换电路,

  图3属于N型偏置。反向器inv1和inv2均为CMOS反向器或者包含反向功能的逻辑门/逻辑门组合,VSS1为反相器inv1的公共地电压,当偏置MOS为PMOS,由于耦合电容Cc的存在,如果电阻偏置电平固定不变,不管哪种类型,而不能以此来限制本发明的保护范围。反之,VSS2对c点的下拉电流很弱。由于VDD1-VSS1=VDD2-VSS2!

  这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。偏置MOS的源端连接公共地(电压为VSS2),当a点信号开始从低电平VSS1向高电平VDD1转换时,c点电位在耦合电容Cc的作用下从原来的电平VDD2向VSS2转换。还包括偏置MOS,下面结合附图对本发明作进一步描述。c点电位变成低电平VSS2后,偏置MOS的漏端连接反相器inv2的输入端,实现信号共模电平的转换,b点的电平开始从低电平VSS1向高电平VDD1转换。VDD1为反相器inv1的工作电源电压,转换过程中要保持信号的幅度占空比等特征,该偏置电平必须作出相应调整,NMOS开关关断,使用输入信号或输出信号为MOS开关提供控制信号,